هنگامیکه قطعات الکترونیکی در معرض تابش نوترون قرار میگیرند بر اثر اندرکنشهای نوترون در این قطعات، مشخصات الکتریکی آنها مانند ظرفیت خازنی، جریان بایاس معکوس، طول عمر حامل اقلیت و غیره ... تغییر میکنند. این تغییرات بسیار مهم است تا آنجا که ممکن است عملکرد قطعه را مختل کرده و آن را از کار بیندازد. بنابراین اندازهگیری میزان آسیب ناشی از نوترون در این قطعات بسیار ضروری است. یکی از مهمترین پارامترهایی که در بیان آسیب وارده به قطعات الکترونیکی بهکار میرود، ثابت آسیب جریان معکوس αاست. این ثابت (α)، شیب نمودار جریان معکوس بر حسب شارش است که نشاندهندة تغییرات جریان معکوس بر حسب شارش است. هدف از انجام این کار اندازهگیری ثابت آسیب جریان معکوس αبرای دیودهای 1N4007، BYV27و BYV95در ولتاژها و دماهای مختلف است. این دیودها در راکتور تحقیقاتی تهران پرتودهی شدند و نتایج بهدست آمده با روابط تئوری انطباق خوبی دارد.
[1] Leroy, and Rancoita, P. G., Particle Interaction and Displacement Damage in Silicon Devices Operated in Radiation Environment, IOP Publishing, 2007, pp.493-625.
[2] Reed, R., LaBel, K., Kim, H., Leidecker, H. and Lohr, J., Test Report of Proton andNeutron Exposures of Devices that Utilize Optical Components and AreContained in the CIRS Instrument, NASA Test Report i090397, 1997.
[3] ASTM E722 Standard Practice for Characterizing Neutron Energy Fluence Spectra in Termsof an Equivalent Monoenergetic Neutron Fluence for Radiation-Hardness Testing of Electronics, American Society for Testing Materials 722–94, Philadelphia, Pennsylvania, 1994.
[4] Korde, R, “The Effect of Neutron Irradiation on Silicon Photodiodes,” IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 36, Issue 6, 1989, pp. 2169-2175.
[5] Fraser, D. A., The Physics of Semiconductor Devices, Oxford Physics Series, 4th Edition, 1986.
[6] Sze, S. M., Physics of Semiconductor Devices, Second Edition, J. Wiley & Sons, 1981.
[7] dler, R. B., Smith, A. C. and Longini, R. L., Introduction to Semiconductor Physics, Semiconductor Electronics Education Committee (SEEC), Vol. 1, NewYork: Wiley, 1964.
[8] Navon, D. H., ElectronicMatrials and Devices, Boston, Houghton Mifflin, 1975.
[9] Robert, M. B. and Donovan, P., Fundamental of Silicon Integrated Device Technology, Vol. 1, Prentice-Hall INC, 1967.
K., et al., “Radiation Damage by Neutrons Andphotons to Silicon Detectors”, Nucl. Inst. and Meth. A322, 1992, pp.177-188.
E., et al., “Temperature Effects on Radiation Damage to Silicon Detectors, Nucl.Inst. and Meth. A326, 1993, pp. 373-380.
Chilingarov, A., et al., “Radiation Studies and Operational Projections for Silicon in the Atlas Inner Detector,” 6th Pisa Meeting on Advanced Detectors, 360, Issues 1–2, Italia, 1995, pp. 432–437.
Lemeilleur, F., et al., “Study of Characteristic of Silicon Detectors Irradiated with 24GeV/c Protons between –20°C and +20°C,” Inst. and Meth. A360, 1995, pp. 438-444.
Barberis, E., et al., “Radiation Damage in Silicon Detectors – Self Annealing Corrections,” SITP-Internal Note, SITP-002, 1991.
Hall, G., et al., “Neutron Radiation Damage Studies of Silicon Detectors – Summary of Recent Results,” Imperial College Internal Note, IC/HEP/91/1, 1991.
حسینی,امیر , فقهی,سیدامیرحسین , جعفری,حمید و آقایی,میربشیر . (1392). اندازهگیری میزان تأثیر تابش نوترون بر ثابت آسیب جریان معکوس α دیود. علوم و فناوری فضایی, 6(2), 11-19.
MLA
حسینی,امیر , , فقهی,سیدامیرحسین , , جعفری,حمید , و آقایی,میربشیر . "اندازهگیری میزان تأثیر تابش نوترون بر ثابت آسیب جریان معکوس α دیود", علوم و فناوری فضایی, 6, 2, 1392, 11-19.
HARVARD
حسینی امیر, فقهی سیدامیرحسین, جعفری حمید, آقایی میربشیر. (1392). 'اندازهگیری میزان تأثیر تابش نوترون بر ثابت آسیب جریان معکوس α دیود', علوم و فناوری فضایی, 6(2), pp. 11-19.
CHICAGO
امیر حسینی, سیدامیرحسین فقهی, حمید جعفری و میربشیر آقایی, "اندازهگیری میزان تأثیر تابش نوترون بر ثابت آسیب جریان معکوس α دیود," علوم و فناوری فضایی, 6 2 (1392): 11-19,
VANCOUVER
حسینی امیر, فقهی سیدامیرحسین, جعفری حمید, آقایی میربشیر. اندازهگیری میزان تأثیر تابش نوترون بر ثابت آسیب جریان معکوس α دیود. علوم و فناوری فضایی, 1392; 6(2): 11-19.
